シャープは、フラッシュメモリの約100倍の高速書き込みが可能な次世代不揮発メモリ「RRAM(アールラム)」の書き換え方式の基礎技術を開発したと発表した。回路構成を単純化し、サイズを大幅に小さくすることができる。今後は集積化や微細加工など技術を進め、実用化を進める。

 シャープは、フラッシュメモリの約100倍の高速書き込みが可能な次世代不揮発メモリ「RRAM(アールラム)」の書き換え方式の基礎技術を開発したと発表した。回路構成を単純化し、サイズを大幅に小さくすることができる。今後は集積化や微細加工など技術を進め、実用化を進める。

 「RRAM」は金属酸化膜の電気抵抗の変化を記憶情報に利用、低電圧で高速にメモリ素子の駆動ができるため、低消費電力で大容量データを高速書き換えが可能な次世代メモリとして注目されている。しかし、金属酸化膜の抵抗変化の仕組みが解明されず、RRAMの特徴を活かした素子の開発が困難という問題があった。

 今回、シャープでは独立行政法人の産業技術総合研究所と共同でRRAMのメモリ素子の情報が記憶される抵抗変化部分以外の抵抗成分に注目。これまで制御を行っていなかった抵抗成分についての変化を書き込み・消去時に異なる値にすることで、正負ニ電源が必要だったRRAMの書き込み消去を単一電源で行えるようにし、シンプルな回路構成でメモリ素子を動作させることに成功した。一般的なCMOSプロセスとの整合性が高い材料を使用しているため、既存の生産ラインの流用も可能という。